Geformte Leistungsinduktivität

  • kundenspezifische Hochstrom-Ringkern-Leistungsinduktivität

    kundenspezifische Hochstrom-Ringkern-Leistungsinduktivität

    (1). Alle Testdaten basieren auf einer Umgebungstemperatur von 25 °C.

    (2). Gleichstrom (A), der eine ungefähre △T40℃ verursacht

    (3). Gleichstrom (A), der dazu führt, dass L0 um etwa 30 % abfällt.

    (4). Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +125 °C

    (5). Die Bauteiltemperatur (Umgebungstemperatur + Temperaturanstieg) sollte unter ungünstigsten Betriebsbedingungen 125 °C nicht überschreiten. Schaltungsdesign, Komponenten, Leiterbahngröße und -dicke, Luftstrom und andere Kühlvorrichtungen beeinflussen die Bauteiltemperatur. Die Bauteiltemperatur sollte in der Anwendung überprüft werden.

  • Kundenspezifische SMD-Formung für Hochstrom-Ringkern-Leistungsinduktivitäten

    Kundenspezifische SMD-Formung für Hochstrom-Ringkern-Leistungsinduktivitäten

    EIGENSCHAFTEN

    (1). Alle Testdaten basieren auf einer Umgebungstemperatur von 25 °C.

    (2). Gleichstrom (A), der eine ungefähre △T40℃ verursacht

    (3). Gleichstrom (A), der dazu führt, dass L0 um etwa 30 % abfällt.

    (4). Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +125 °C

    (5). Die Bauteiltemperatur (Umgebungstemperatur + Temperaturanstieg) sollte unter ungünstigsten Betriebsbedingungen 125 °C nicht überschreiten. Schaltungsdesign, Komponenten, Leiterbahngröße und -dicke, Luftstrom und andere Kühlvorrichtungen beeinflussen die Bauteiltemperatur. Die Bauteiltemperatur sollte in der jeweiligen Anwendung überprüft werden.

  • Kundenspezifische integrierte Hochstrom-Ringkern-Leistungsinduktivität

    Kundenspezifische integrierte Hochstrom-Ringkern-Leistungsinduktivität

    1. MODELL-NR.: MS0420-1R0M 2. Größe: Einzelheiten siehe unten. KUNDENMODELL-NR. MS0420-1R0M REVISION A/0 DATEI-NR. TEILE-NR. DATUM 27.03.2023 1. PRODUKTABMESSUNGEN EINHEIT: mm A 4,4 ± 0,35 B 4,2 ± 0,25 C 2,0 Max D 1,5 ± 0,3 E 0,8 ± 0,3 2. ELEKTRISCHE ANFORDERUNGEN PARAMETER SPEZIFIKATION ZUSTAND TESTINSTRUMENTE L (uH) 1,0 μH ± 20 % 100 kHz/1,0 V MICROTEST 6377 DCR (mΩ) 27 mΩ MAX Bei 25 °C TH2512A I sat (A) 7,0 A TYP L0A * 70 % 100 kHz/1,0 V MICROTEST 6377 + 6220 I rms (A) 4,5 A TYP △ T ≤ 40 °C 100 K ...
  • Magnetische ungeschirmte elektronische Komponente, drahtgewickelte SMD-Chip-Ferrit-Kupferkern-Induktorspule

    Magnetische ungeschirmte elektronische Komponente, drahtgewickelte SMD-Chip-Ferrit-Kupferkern-Induktorspule

    MERKMALE

    (1) ROHS-konform.

    (2) Super niedriger Widerstand, ultrahohe Stromstärke.

    (3) Hohe Leistung (I sat) durch Metallstaubkern realisiert.

    (4) Frequenzbereich: bis zu 1 MHz.